Сегодня стало известно, что на 89-м году жизни скончался нобелевский лауреат, академик Жорес Алферов. Об этом пишет «РИА Новости» со ссылкой на его супругу. По данным российских СМИ, причиной смерти ученого стала острая сердечная недостаточность.
Читать на OnlínerВ ноябре прошлого года Алферов попал в больницу с подозрением на инсульт. С 1991 по 2017 год он занимал пост вице-президента РАН (Российская академия наук). Нобелевскую премию по физике Жорес Алферов получил за разработки в полупроводниковой технике.
Ученый родился в Витебске в 1930 году. Во время Великой Отечественной войны семья Алферовых переехала в Туринск (Свердловская область). Жорес принимал участие в разработке первых советских транзисторов и силовых германиевых приборов. В 1961 году стал кандидатом физико-математических наук.
Алферов стоял у истоков отечественной науки и считается одним из самых влиятельных ученых своего времени. Его изобретения стали основой для создания многих современных электронных устройств. Жорес Алферов активно работал с лазерами, полупроводниками и светодиодами.
По информации журнала «Школа жизни» (статья за март 2008 года), в 60-е годы Алферов работал над приборами на полупроводниковых гетероструктурах. При этом в то время работа с гетеропереходными структурами считалась бесперспективной. Имеющиеся кристаллы были химически неустойчивы, а размеры их кристаллических решеток не совпадали, что приводило при контакте к большому количеству структурных дефектов. Поэтому создание эффективного перехода и подбор соответствующих гетеропар казались неразрешимой задачей.
Однако с помощью созданных установок молекулярно-пучковой эпитаксии, позволяющих изменять параметры полупроводника при выращивании его кристалла, Алферову удалось найти решение проблемы. С использованием полупроводников GaAs и GaAlAs были созданы эффективно работающие гетероструктуры. Эти же задачи параллельно решал американец немецкого происхождения Герберт Кремер. С начала 70-х годов развернулась гонка ЛФТИ с американскими фирмами Bell Telephone, IBM и RCA в разработке промышленной технологии получения полупроводников на гетероструктурах. В 2000 году Алферову и Кремеру была присуждена Нобелевская премия.